报告承办单位:物理与电子科学学院

报告内容: 电力电子器件及其应用研究

报告人姓名: 王俊

报告人所在单位: 湖南大学

报告人职称/职务及学术头衔:教授

报告时间: 2022年6月29日 9：30

报告地点: 理科楼C509

报告人简介: 湖南大学电气与信息工程学院教授、博士生导师；国家特聘青年专家、湖南省“高层次人才聚集工程”创新人才、湖南大学岳麓学者、东华软件青年学者；中国功率半导体技术创新与产业联盟专家委员会委员、中国电源学会器件专委会委员、中国电机工程学会电力电子器件专委会委员、中国物理学会应用物理前沿推介委员会IEEE高级会员, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics和IET Power Electronics编委.美国北卡罗来纳州立大学博士攻读期间，发明了世界首个SiC ETO晶闸管；美国德州仪器公司工作期间，所研发的高性能功率MOSFET 产品（NexFET）被应用到苹果公司的iphone5和ipad2、戴尔和惠普服务器等产品中；发表第一作者/通讯作者国际期刊论文40余篇，拥有3项美国发明专利、1项日本发明专利和17项中国发明专利。主持了1个国家自科基金区域创新联合基金重点项目、2个国家自科基金面上项目、1个湖南省重点研发计划项目、1个重点研发计划项目子课题、工信部“强基工程”项目子课题、湖南省重大专项项目课题和15项企业横向合作项目。