2019年12月17日，应我院邀请，郑州大学刘俊杰教授为我院师生作了一场题为“Compact Modeling of Junction Failure in Semiconductor Devices Subject to Electrostatic Discharge Stresses”的学术讲座。报告会由邹望辉副教授主持，部分老师、本科生和全体研究生参加了此次讲座。

刘俊杰教授已多次来我院进行学术交流，本次刘教授带来的讲座内容与前几次讲座内容是息息相关的，紧承上次讲座介绍的静电保护。本次讲座刘教授主要向我们介绍了从静电放电与破坏的基理开始，再到静电破坏的建模，最后到模型的应用与未来的前景这几个部分。重点解说了建模时需要先对仿真模型进行等效电路的分析，确定各个参数值，在建模完成后再进行仿真分析确定器件的鲁棒性等性能。讲解过程中以自己的亲身经历为例，让大家深入理解。报告结束后，大家都纷纷向刘教授提问，刘教授也一一进行了解答。报告内容丰富、生动、精彩，让大家都受益匪浅，报告会取得了圆满成功。